EN | GR
 Κεντρικό μενού
Skip Navigation Links
ΕισαγωγήExpand Εισαγωγή
ΑκαδημαϊκάExpand Ακαδημαϊκά
Πρόγραμμα σπουδώνExpand Πρόγραμμα σπουδών
Προσωπικό του Τμήματος
ΥπηρεσίεςExpand Υπηρεσίες
ΜεταπτυχιακόExpand Μεταπτυχιακό
Χρήσιμοι σύνδεσμοι
Συζητήσεις
 Είσοδος χρήστη
Όνομα χρήστη
Κωδικός χρήστη
Κωδικός ασφαλείας

Τμήμα Ηλεκτρονικών Μηχανικών ΤΕ

Διεύθυνση: Τ.Θ. 141,
57400
 Θεσσαλονίκη
Τηλ: 2310 013 621
Φαξ: 2310 791 132
E-mail: infoel@teithe.gr

Facebook

Android εφαρμογή της σελίδας

Σελίδα ΑΤΕΙΘ: www.teithe.gr


Καταγραφή αποφοίτων

Η βάση δεδομένων των αποφοίτων του Τμήματος δημιουργήθηκε στα πλαίσια του προγράμματος ΕΠΕΑΕΚ ΙΙ για την Αναμόρφωση Προγραμμάτων Προπτυχιακών Σπουδών





Κεντρική5-211 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ Ι
Τύπος διδασκαλίας Διάφορες μορφές διδασκαλίας
Εβδομ. ώρες διδασκαλίας 6  
Πιστωτικές μονάδες 7  
Ηλεκτρονική σελίδα http://www.el.teithe.gr/Lessons.aspx?View=Content&ID=10
   
ΜΑΘΗΣΙΑΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ  
Σκοπός του μαθήματος είναι η ανάπτυξη της ικανότητας κατανόησης της λειτουργίας των βασικών
ηλεκτρονικών εξαρτημάτων καθώς και ανάλυσης και σχεδίασης των βασικών αναλογικών
ηλεκτρονικών κυκλωμάτων που κατασκευάζονται με διακριτά εξαρτήματα.
Με την επιτυχή ολοκλήρωση του μαθήματος ο φοιτητής / τρια θα είναι σε θέση να:
● Αναγνωρίζει, να αναλύει και να σχεδιάζει τον τρόπο προσαρμογής των πηγών τάσης και των
σημάτων τους στις διάφορες βαθμίδες ενός ηλεκτρονικού κυκλώματος και να αναλύει τα βασικά
κυκλώματα διόδων.
● Αναγνωρίζει τη φυσική δομή, να διακρίνει τις περιοχές λειτουργίας και να σχεδιάζει και να
αξιολογεί τις χαρακτηριστικές καμπύλες τάσης-ρεύματος του διπολικού τρανζίστορ ένωσης (BJT),
να σχεδιάζει τη γραμμή φορτίου και να εξηγεί και να ορίζει το σημείο λειτουργίας του BJT, να
υπολογίζει την ανάλυση συνεχούς ρεύματος του BJT και να αξιολογεί την διακοπτική του
λειτουργία.
● Αναγνωρίζει, να υπολογίζει και να συγκρίνει τους τρόπους πόλωσης του BJT, να αναγνωρίζει και
να συνδυάζει τη χρήση των ισοδύναμων μοντέλων τύπου π και τύπου Τ του BJT.
● Διακρίνει την κατηγορία του κυκλώματος και να υπολογίζει και να κρίνει τα βασικά μεγέθη κατά
την ενισχυτική λειτουργία του BJT.
● Σχεδιάζει κυκλώματα ενισχυτών κοινού εκπομπού με BJT.
● Αναγνωρίζει τη φυσική δομή, να διακρίνει τις περιοχές λειτουργίας και να σχεδιάζει και να
αξιολογεί τις χαρακτηριστικές καμπύλες τάσης-ρεύματος του τρανζίστορ επίδρασης πεδίου
(JFET), να υπολογίζει την ανάλυση συνεχούς ρεύματος του JFET και να αξιολογεί την διακοπτικήτου λειτουργία και να υπολογίζει και να κρίνει τα βασικά μεγέθη κατά την ενισχυτική λειτουργία
του JFET.
● Αναγνωρίζει τη φυσική δομή, να διακρίνει τις περιοχές λειτουργίας και να σχεδιάζει και να
αξιολογεί τις χαρακτηριστικές καμπύλες τάσης-ρεύματος του τρανζίστορ επίδρασης πεδίου
ημιαγωγού μετάλλου (MOSFET), να υπολογίζει την ανάλυση συνεχούς ρεύματος του MOSFET
και να αξιολογεί την διακοπτική του λειτουργία και να υπολογίζει και να κρίνει τη διακοπτική
λειτουργία του βασικού αντιστροφέα CMOS.
 
ΠΕΡΙΕΧΟΜΕΝΟ ΜΑΘΗΜΑΤΟΣ  

ΕΙΣΑΓΩΓΗ: Συμβολισμοί. Προσεγγίσεις. Πηγές τάσης. Θεώρημα Thevenin.
ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΔΙΟΔΩΝ
ΔΙΠΟΛΙΚΑ TRANSISTOR ΕΝΩΣΗΣ (BJT): Φυσική δομή. Περιοχές λειτουργίας. Χαρακτηριστικές
καμπύλες τάσης-ρεύματος.
ΓΡΑΦΙΚΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ: Γραμμή φορτίου. Σημείο λειτουργίας. Ανάλυση στο συνεχές. Διακοπτική
λειτουργία.
ΠΟΛΩΣΗ BJT: με διαιρέτη τάσης, με δύο τροφοδοτικά, πόλωση εκπομπού.
ΙΣΟΔΥΝΑΜΑ ΜΟΝΤΕΛΑ BJT: τύπου π και Τ.
ΕΝΙΣΧΥΤΙΚΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ: Κέρδος τάσης. Σχεδίαση ενισχυτή κοινού εκπομπού. Πολυβάθμιοι
ενισχυτές. Οι δύο γραμμές φορτίου.
ΑΚΟΛΟΥΘΟΣ ΕΚΠΟΜΠΟΥ: Αντίσταση εισόδου. Μέγιστη διακύμανση εξόδου.
ΤRANSISTOR ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΠΕΔΙΟΥ (JFET). Φυσική δομή. Περιοχές λειτουργίας.
Χαρακτηριστικές καμπύλες τάσης ρεύματος. Ανάλυση στο συνεχές ρεύμα. Ενισχυτική και διακοπτική
λειτουργία.
MOSFET: Φυσική δομή. Περιοχές λειτουργίας. Διακοπτική λειτουργία. Φορτίο. Λειτουργία CMOS.

   
ΤΡΟΠΟΣ ΠΑΡΑΔΟΣΗΣ  
Πρόσωπο με πρόσωπο θεωρητική διδασκαλία.
Εργαστηριακή εκπαίδευση σε μικρές ομάδες φοιτητών.
   
ΑΞΙΟΛΟΓΗΣΗ ΦΟΙΤΗΤΩΝ  

Ι. Γραπτή τελική εξέταση (ΓΕ) (70%) που περιλαμβάνει:
- Ερωτήσεις σύντομης απάντησης
- Επίλυση ασκήσεων θεωρίας
ΙΙ. Εργαστηριακή εξέταση (ΕΕ) (30%) που περιλαμβάνει:
- Εβδομαδιαίες εργαστηριακές εργασίες σε μικρές ομάδες
- Τελική Εξέταση εργαστηρίου*
* Οι φοιτητές που αποτυγχάνουν στην εργαστηριακή
εξέταση, έχουν δικαίωμα Τελικής Εξέτασης εργαστηρίου
σε επόμενη περίοδο.
Ο βαθμός του μαθήματος (ΓΕ*0,7 + ΕΕ*0,3) πρέπει να είναι
τουλάχιστον πέντε (5).
Ο βαθμός της Γραπτής τελικής εξέτασης και της
Εργαστηριακής εξέτασης πρέπει να είναι τουλάχιστον
τέσσερα (4).
Τα κριτήρια αξιολόγησης είναι προσβάσιμα στους φοιτητές
από την ηλεκτρονική σελίδα του μαθήματος.

   
ΣΥΝΙΣΤΩΜΕΝΗ-ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ  
Βασικό εγχειρίδιο:
• P. MALVINO, Βασική Ηλεκτρονική. Εκδ. Τζιόλα.
Ελληνικά ή μεταφρασμένα διδακτικά συγγράμματα:
• Sedra - Smith, Μικροηλεκτρονικά κυκλώματα, τόμοι Α, Β. Εκδ. Παπασωτηρίου.
• J. Millman, Χ. Χαλκιάς, Oλοκληρωμένη Ηλεκτρονική, τόμοι Α, Β.
• Jaeger, Μικροηλεκτρονική, τόμοι Α, Β. Εκδ. Τζιόλα.
• Ι. Μ. Κοντολέων, Ηλεκτρονική, τόμοι Α, Β, Γ.
Ξενόγλωσσα διδακτικά συγγράμματα:
• Bobrow, Funtamentals of Electrical Engineering, Oxford University Press.
• Hambley, Electronics, Prentice Hall.
-Συναφή επιστημονικά περιοδικά:
IEEE Transactions on Circuits and Systems
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement
 
Επιστροφή
Σχετικά | Online χρήστες: 38
el.teithe.gr © 2002-2019